Groft siliciumcarbid
video

Groft siliciumcarbid

Groft siliciumcarbid er et sammensat halvledermateriale sammensat af silicium (Si) og kulstof (C). Den har en meget stærk binding og er termisk, kemisk og mekanisk stabil.
Send forespørgsel
Produkt introduktion

Siliciumcarbid korn 100 Beskrivelse

Tredje-generations halvledere høj-elektroniske enheder repræsenteret af SiC er en af ​​de hurtigst voksende effekthalvlederenheder inden for effektelektronik.

 

Siliciumcarbid som en typisk repræsentant for tredje generation af halvledermaterialer, men også den mest modne krystalproduktionsteknologi og enhedsproduktionsniveau, et af de mest udbredte halvledermaterialer med bred båndbredde, har dannet en global materiale-, enheder- og applikationsindustrikæde. Det er et ideelt halvledermateriale til applikationer med høj-temperatur, høj-frekvens, strålings-og høj-effekt.

 

 

 

 

Specifikation af siliciumcarbidprodukter

Silicon Carbide Products-leverandører-ZhenAn International

 

 

TYPISK KEMISK ANALYSE
SiC 99.05%
SiO2 0.20%
F, Si 0.03%
Fe2O3 0.10%
F.C 0.04%
TYPISKE FISISKE EGENSKABER
Hårdhed: Mohs: 9,5
Smeltepunkt: Sublimerer ved 2600 grader
Maksimal driftstemperatur: 1900 grader
Specifik vægtfylde: 3,2 g/cm³
Bulkdensitet (LPD): 1,2-1,6 g/cm3
Farve: Grøn
Partikelform: Sekskantet

 

Silicon Carbide 100 Grit-producent-ZhenAn International

Silicon Carbide 100 Grit manufacturer-ZhenAn International

 

SiC-pulverleverandør-ZhenAn

 SiC Powder supplier-ZhenAn

 

Mekaniske egenskaber:høj hårdhed (Kjeldahl hårdhed på 3000 kg/mm²), kan skære rubin; høj slidstyrke, kun næst efter diamant.

 

Termiske egenskaber:termisk ledningsevne overstiger metallisk kobbers, 3 gange Si og 8 til 10 gange GaAs, god varmeafledning, meget vigtigt for højeffektenheder.

 

Kemiske egenskaber:korrosionsbestandighed er meget stærk, ved stuetemperatur kan modstå næsten alle kendte ætsende midler. SiC overflade let oxidation for at generere et tyndt lag af SiO2, kan forhindre dets yderligere oxidation, i højere end 1700 grader, dette lag af oxidfilm smelter og hurtig oxidationsreaktion. SiC kan opløses i smeltet oxidationsmiddel.

 

Elektriske egenskaber:4H-SiC og 6H-SiC-båndgabet er omkring 3 gange så stor som for Si, 2 gange så stor som for GaAs; dens elektriske nedbrydningsstyrke er en størrelsesorden højere end Si, og mætningselektrondrifthastigheden er 2,5 gange den for Si. 4H-SiC har et bredere båndgab end 6H-SiC.

 

36 Grit Silicium Carbide Kundebesøg billeder

36 Grit Silicon Carbide Customer visit photos

 

FAQ

 

 

Q: Kan prisen forhandles?

A: Ja, du er velkommen til at kontakte os når som helst, hvis du har spørgsmål. Og for kunder, der ønsker at udvide markedet, vil vi gøre vores bedste for at støtte dem.

Q: Kan du levere gratis prøver?

A: Ja, vi kan levere gratis prøver til kunder, så de kan kontrollere kvaliteten eller udføre de kemiske analyser, men fortæl os venligst de detaljerede krav til, at vi kan forberede de rigtige prøver.

Q: Hvornår kan du levere varen?

A: Normalt kan vi levere varerne inden for 15-20 dage efter, at vi har modtaget den avancerede betaling eller originale L/C.

Sp.: Kan du levere en testrapport udstedt af SGS eller en anden- tredjepartsinspektion?

A: Ja, det kan vi, hvis kunder anmoder om tredjepartstestrapporter-.

Vi håber inderligt at være din partner, vi byder nye og gamle kunder velkommen til at besøge guiden samt forskellige former for handelssamarbejde samtaler!

Populære tags: groft siliciumcarbid, Kina groft siliciumcarbid producenter, leverandører, fabrik

Send forespørgsel

Hjem

Telefon

E-mail

Undersøgelse