Siliciumcarbidmedier
video

Siliciumcarbidmedier

Siliciumcarbidmedier i halvlederen i hovedformen af ​​eksistens er som et substratmateriale, baseret på dets fremragende egenskaber, er siliciumcarbidsubstratbrugsgrænsen bedre end siliciumsubstratet.
Send forespørgsel
Produkt introduktion

100 korn siliciumcarbid Beskrivelse

Siliciumcarbid i halvlederen i eksistensen af hovedformen er som et substratmateriale, baseret på dets fremragende egenskaber, brugen af siliciumcarbidsubstratets grænseydelse er bedre end siliciumsubstratet, siliciumcarbidsubstratet kan opfylde den høje temperatur, høje tryk, højfrekvens, høj effekt og andre betingelser for silicium substratet har været påført til applikationsbehovet, og frekvensen af silicium substratet har været påført radioenhedens aktuelle behov, magt enheder.

 

Hvis du er interesseret i vores produkter, så kontakt os nu! Vi kan tilpasse vores produkter efter kundens krav!

 

 

 

120 korn siliciumcarbid specifikation

120 Grit Silicon Carbide leverandører-ZhenAn International

 

Punkt SiC F.C Fe2O3 Fugtighed
SiC 86 86%min 2,4 % maks 2,0 % maks 0,2 % maks
SiC 88 88 % min 2,3 % maks 2,0 % maks 0,2 % maks
SiC90 90 % min 2,0 % maks 1,8 % maks 0,2 % maks
SiC92 92 % min 1,8 % maks 1,7 % maks 0,2 % maks
SiC93 93 % min 1,8 % maks 1,6 % maks 0,2 % maks
SiC 95 95 % min 1,0 % maks 1,3 % maks 0,2 % maks
SiC97 97 % min 0,8 % maks 1,2 % maks 0,2 % maks
SiC97.5 97,5 % min 0,8 % maks 0,9 % maks 0,2 % maks
SiC98 98 % min 0,5 % maks 0,5 % maks 0,2 % maks

 

1200 Grit Silicon Carbide Professionel leverandør-ZhenAn

1200 Grit Silicon Carbide Professional supplier-ZhenAn

 

180 Grit Silicon Carbide-producent-ZhenAn International

180 Grit Silicon Carbide manufacturer-ZhenAn International

Fordelene ved siliciumcarbidenheder er som følger:

(1)høj-spændingsmodstand.Nedbrydningen af ​​elektrisk feltstyrke er stor, 10 gange større end silicium, med siliciumcarbidenheder kan forberedes til i høj grad at forbedre spændingsmodstandskapaciteten, driftsfrekvensen og strømtætheden og i høj grad reducere enhedens ledningstab. Så i selve ansøgningsprocessen, sammenlignet med siliciumbasen kan designes til et mindre volumen, omkring 1/10 af de silicium-baserede enheder.


(2)Høj temperatur modstand.Halvlederenheder ved højere temperaturer vil producere iboende excitation af bærere, hvilket resulterer i enhedsfejl. Jo større den forbudte båndbredde er, jo højere er enhedens begrænsende driftstemperatur. Det forbudte bånd af siliciumcarbid er tæt på tre gange større end silicium, hvilket sikrer pålideligheden af ​​siliciumcarbidenheder, der arbejder ved høje temperaturer. Den begrænsende driftstemperatur for siliciumenheder kan generelt ikke overstige 300 grader, mens den begrænsende driftstemperatur for siliciumcarbidenheder kan nå mere end 600 grader. Samtidig er den termiske ledningsevne af siliciumcarbid højere end silicium, høj termisk ledningsevne hjælper siliciumcarbidenhedens varmeafledning, i den samme udgangseffekt for at opretholde en lavere temperatur, er siliciumcarbidenheden også derfor mindre krævende for designet af varmeafledning, hvilket hjælper med at opnå miniaturisering af enheden.


(3) Opnåelse af høj-frekvent ydeevne Siliciumcarbidmætningselektrondrifthastigheden er stor, to gange så stor som silicium, hvilket bestemmer, at siliciumcarbidenheden kan opnå højere driftsfrekvens og højere effekttæthed. Samtidig er energitabet i siliciumcarbidsubstratmaterialet mindre. Ved den samme spænding og konverteringsfrekvens, ved 400V, er energitabet for siliciumcarbid MOSFET-inverter ca. 29 %-60 % af energitabet for silicium-baseret IGBT; ved 800V er energitabet for siliciumcarbid MOSFET-inverteren omkring 30%-50% af energitabet for siliciumbaseret IGBT. Energitabet for siliciumcarbidanordninger er således meget mindre.

 

180 Grit Silicium Carbide Powder Kundebesøgsbilleder

180 Grit Silicon Carbide Powder Customer visit photos

 

 

 

 

FAQ

 

 

Q: Er du en producent?

A: Ja, vi er en producent beliggende i Anyang City, Henan-provinsen. Som en professionel leverandør af metallurgiske råmaterialer sætter vi altid produktkvalitet først. Vi bruger det mest avancerede udstyr og teknologi fra råvarekontrol, fremstillingsproces og kvalitetskontrolsystem for at sikre, at vores produkter opfylder industristandarder og opfylder kundernes behov.

 

Q: Hvilken slags betalingsbetingelser accepterer du?

A: For små ordrer kan du betale med T/T, Western Union eller Paypal, nominel ordre med T/T eller LC til vores firmakonto

 

Spørgsmål: Hvordan kan jeg få en prøve af siliciumcarbidmedier?

A: Gratis prøver er tilgængelige, men fragtomkostningerne vil være på din konto, og gebyrerne vil blive returneret til dig eller fratrukket din ordre i fremtiden.

 

Q: Hvordan bekræfter man produktkvaliteten, før man afgiver ordre?

A: Du kan få gratis prøver for nogle produkter, du behøver kun at betale forsendelsesomkostningerne eller arrangere en kurer til os og tage prøverne. Du kan sende os dine produktspecifikationer og anmodninger, vi fremstiller produkterne i henhold til dine ønsker.

Populære tags: siliciumcarbid medier, Kina silicium carbid medier producenter, leverandører, fabrik

Send forespørgsel

Hjem

Telefon

E-mail

Undersøgelse